专利名称：一种场效应晶体管的制备方法专利类型：发明专利发明人：高剑琴
申请号：CN201410106643.4申请日：20140320公开号：CN103887341A公开日：20140625
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管的制备方法，涉及半导体制备技术领域。该方法在一衬底上以刻蚀工艺形成U型源漏区；以氢氧化钾溶液对所述源漏区进行腐蚀；采用酸液体对所述源漏区表面的自然氧化层进行清洗；以外延生长工艺于所述源漏区内形成缓冲层。本发明采用KOH溶液对U型源漏区进行短暂腐蚀，根据KOH溶液对硅片各向异性的腐蚀特点，使侧壁晶向的腐蚀程度大于底部晶向的腐蚀，为缓冲层在侧壁晶向上生长前提供更多晶核，提高侧壁缓冲层的生长速度，从而用来平衡缓冲层因晶向各异导致的沉积厚度不同问题，降低了侧壁外延生长缺陷，避免了由于源漏区高浓度掺杂物扩散到沟道处漏电现象，使场效应晶体管性能提升得以保证。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：吴俊
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