专利名称：处理熔融硅的坩埚专利类型：发明专利发明人：G·兰克勒
申请号：CN200780003063.0申请日：20070112公开号：CN101370968A公开日：20090218
摘要：本发明涉及处理熔融硅的坩埚，所述坩埚包含具有限定内部容积的底面和侧壁的基体。依据本发明，该基体包含至少65重量％的碳化硅和12－30重量％的选自氧化硅或氮化硅的组分。而且，不同于现有技术的坩埚，至少在限定所述坩埚的内部容积的表面包含至少一层氧化硅和/或氮化硅的涂层，所述坩埚可使用数次而无物理完整性的任何可见劣化。
申请人：维苏威克鲁斯布公司
地址：美国特拉华
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：李帆
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