专利名称：射频集成电路器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：王晓川
申请号：CN201710322135.3申请日：20170509公开号：CN108878385A公开日：20181123
摘要：本发明提供了一个射频集成电路器件及其制造方法，涉及射频半导体技术领域，尤其是基于SOI衬底的CMOS晶体管之散热问题，该射频集成电路器件包括：购置于相互平行的第一界面和第二界面之间的第一半导体层，其厚度小于3微米；通过第一界面与第一半导体层相依附的第一介电质层；制备于第一介电质层和第一半导体层的第一晶体管；通过第二界面与第一半导体层相依附的第二介电质层，其厚度小于1微米；制备于第二介电质层表面与第一晶体管垂直相对的第一散热片体，所述第一散热片体为介电质，其导热系数为第二介电质层的5倍以上，根据本发明及其制造方法，可以有效地一定程度地解决射频晶体管的散热问题。
申请人：中芯集成电路(宁波)有限公司
地址：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：王仙子
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