军⽤电⼦器件⽬录JUN YONG DIAN ZI QI JIAN MU LU（2005年版）济南半⼀电⼦有限公司⽬录
半导体器件选⽤注意事项 (1)第⼀部分：⼆极管 (8)⼀. 开关⼆极管 (8)
1. 锗⾦键开关⼆极管2AK1～20系列 (8)2. 锗⾦键检波⼆极管2AP1～31B系列 (9)
3. 肖特基检波⼆极管SP1～31B系列（替代2AP1～31B） (10)4. 肖特基开关⼆极管SK1～20系列（替代2AK1～20） (11)
5. 肖特基开关检波⼆极管2DKOlO、020、O3O型（替代2AK1～20、2AP1～31B）··126. 硅开关⼆极管2CK70～86、2CK49～56系列 (13)7. 硅开关⼆极管1N、1S、1SS、BAV系列 (16)8. 玻璃钝化封装⼤电流开关⼆极管RG0.5～5系列 (17)⼆. 整流⼆极管 (18)
1. 玻封快速硅整流⼆极管2CZ50～57系列 (18)2. 玻璃钝化整流管1N、RL、6A系列 (19)3. 玻璃钝化⾼速整流管SF11G～66G系列 (20)4. 贴⽚玻璃钝化整流管S1～5系列 (21)5. 贴⽚⾼速整流管ES1～5系列 (22)
6. 肖特基⼆极管SR0620～510、1N5817～5822系列 (23)7. 肖特基⼆极管SR735～4060系列 (24)8. 贴⽚肖特基⼆极管SS1～36、SS110系列 (25)三. 电压调整（稳压）⼆极管 (26)1. 硅稳压⼆极管2CW50～78系列2. 硅稳压⼆极管2CW100～121系列 (27)3. 硅稳压⼆极管ZW50～78系列 (28)4. 硅稳压⼆极管ZW100～121系列 (29)
5. 硅稳压⼆极管2CW5221～5255（1N5221～5255）系列 (30)6. 硅稳压⼆极管2CW4728A～4754A（1N4728A～4754A）系列 (31)7. 硅稳压⼆极管1N746A～759A、1N957A～974A系列 (32)8. 硅稳压⼆极管1N4352B～4358B系列 (33)9. 硅稳压⼆极管HZ2～36系列 (34)
10. 硅稳压⼆极管BZX55/C系列 (35)11. 硅稳压⼆极管BZX85/C系列 (36)四. 电压基准⼆极管 (37)
1. 硅基准稳压⼆极管2DW14～18系列 (37)2. 硅平⾯温度补偿⼆极管2DW230～236系列 (38)五. 电流调整（稳流）⼆极管 (39)1. 稳流管2DH1～36系列 (39)六. 瞬变电压抑制⼆极管 (40)
1. 单双向瞬变电压抑制⼆极管TVS500～534系列 (40)2. 单双向瞬变电压抑制⼆极管TVS1000～1034系列 (41)3. 单双向瞬变电压抑制⼆极管TVS1500～1534系列 (42)4. 单双向瞬变电压抑制⼆极管TVS5000～5034系列 (43)第⼆部分：晶体管 (44)⼀. 双极型晶体管 (44)
1. 硅NPN型平⾯⾼频⼩功率三极管3DG110、3DG111、3DG130系列 (44)2. 硅NPN型外延平⾯⾼反压三极管3DG182系列 (45)3. 硅NPN型平⾯三极管3DK101、3DK106、3DK21系列 (46)
4. 硅PNP型外延平⾯⾼频⼩功率三极管3CG111、3CG120、3CG130系列 (47)5. 硅PNP型外延平⾯⾼频⼩功率三极管3CK2、3CK120、3CK130系列 (48)
6. 硅PNP型外延平⾯⾼频⾼反压⼩功率三极管3CG182、3CG184、2N2907系列 (49)7. 硅NPN低频⼤功率晶体管3DD1～8系列 (50)8. 硅NPN达林顿功率晶体管FH6～8系列 (53)⼆. 场效应晶体管 (54)
1. N沟道MOS型场效应晶体管IRF120～823系列 (54)2. P沟道MOS型场效应晶体管IRF9130～9643系列 (56)
3. N沟道结型场效应晶体管3DJ2、3DJ6/66、3DJ7/67/304、3DJ8/68系列 (57)三. 部分替代俄型号晶体管 (59)第三部分：半导体分⽴器件组件 (60)⼀. 说明 (60)⼆. 产品型号 (61)
1. 200mA～2A玻璃钝化芯⽚整流桥DF、1W、RB、W系列 (61)2. 1～4A玻璃钝化芯⽚整流桥2W、GBP、GBL系列 (62)3. 4～15A玻璃钝化芯⽚整流桥GBU、GBP系列 (63)4. 15～35A玻璃钝化芯⽚整流桥GBPC系列 (64)5. 定制式三相整流桥 (65)
6. 2Д906A型硅⼆极管矩阵 (65)7. 双向限幅器SXF0.25～5.8系列 (65)第四部分：电路及模块 (66)⼀. 集成稳压器 (66)
1. 固定输出三端正稳压器CW7800系列 (66)2. 固定输出三端负稳压器CW7900系列 (66)4. 可调输出三端负稳压器CW137系列 (67)5. 定制式5V以下电压基准DCW系列 (68)第五部分：外形图 (69)半导体器件选⽤注意事项
半导体器件（以下简称器件）的质量问题，不仅有器件本⾝所固有的质量和可靠性问题，也有由于⽤户选择或使⽤不当造成的器件失效问题。从统计分析的结果来看，两者⼏乎各占50%。因此，为了保证器件的质量、提⾼器件的可靠性，除供⽅的⼯作以外，使⽤⽅应在器件的选择，测试，装配和焊接，贮存、包装和运输等各⽅⾯综合考虑，做到正确选择、合理使⽤。⼀. 器件的选择
1. 器件选择前应了解以下知识：⑴封装形式
器件的封装形式多种多样。从封装结构来分，有⽓密封装和实体封装；从封装材料来分，有⾦属封装、陶瓷封装、玻璃钝化封装、玻璃封装、玻璃内钝化塑料封装、塑料封装等。⽓密封装的封装腔体内的芯⽚周围有⼀定⽓氛的空间并与外界隔离；实体封装的芯⽚周围与封装腔体形成整个实体，这种封装形式不存在⽓密封装可能出现的漏⽓和封装多余物问题，但对封装材料要求较⾼，必须致密、抗潮、与芯⽚材料粘附和热匹配良好，并且在⾼温、低压条件下不应产⽣有害⽓体。
⼩型化是器件发展的趋势。表⾯贴装器件的封装材料⼀般采⽤改性环氧树脂，具有较⾼的可靠性⽔平；器件体积⽐常规器件要⼩20%～80%，在电⼦线路中整体采⽤这种器件可⼤幅度缩⼩整机体积。我⼚⼤部分产品除常规封装形式外也采⽤这种封装形式，⼩电流的器件⼀般采⽤SOT-23、SOD-123等封装形式，部分产品采⽤MELF （DO-213AB）、Mini-MELF等玻璃封装表⾯贴装封装形式；1～6A的器件⼀般采⽤SMA、SMB、SMC等封装形式。⑵产品质量保证等级
分⽴器件产品执⾏QZJ840611半导体⼆、三极管“七专”技术条件、QZJ840611A 半导体分⽴器件“七专”技术条件、GJB33A-97半导体分⽴器件总规范以及⽤户技术协议（⽤户有要求时）等，对应的质量等级分别为“J”、“G”、“G+”、“JP”、“JT”、“JCT”、“JY”等。我⼚执⾏的产品标准为：“J”级（普军品）：执⾏QZJ840611和
级（“七专”加严产品）：执⾏QZJ840611、QZJ840611A、GJB33A-97和⽤户加严技术协议（如⼀院LMS203.3硅开关⼆极管（微玻璃封装）“七专”加严技术条件、五院东⽅红三号、四号卫星技术条件等）；“JP”、“JT”、“JCT”级（国军标产品）：执⾏GJB33A-97和⽤户技术协议。
三端稳压器（集成电路）产品执⾏QZJ840615模拟集成电路总技术条件、GJB597A-96半导体集成电路总规范以及⽤户技术协议等，对应的质量等级为“J”、“G”、“B1”、“B”、“S”等。
模块电源产品执⾏SJ20668-1998 微电路模块总规范和⽤户技术协议。⑶器件选择的⼀般原则
根据应⽤部位对器件的功能和性能（包括电性能及体积、重量等）要求及质量要求、环境适应性要求，选择合适的品种、型号、⽣产⼚，确定器件的质量等级及器件的封装形式（外形）、引线涂覆、辐射强度保证等级等要求；有特殊要求的应对器件的其他要求诸如内热阻、抗静电能⼒、抗瞬态过载能⼒进⾏选择或评价。2. 器件选择时要注意以下问题：⑴正确选择封装形式
选择封装形式时要根据应⽤部位对环境适应性的要求，综合考虑各种封装形式的优缺点，确定器件的封装形式，以使其满⾜使⽤要求同时兼顾经济性。
⑵不能超过器件的最⼤额定值
器件能够安全使⽤的⼯作条件和环境条件的极限值称为器件的最⼤额定值。⽆论⼯作条件和环境条件怎样恶劣，器件在使⽤时都不允许超过或瞬时超过规定的极限值。只有在此极限值以下使⽤，才能保证器件可靠地⼯作，充分发挥器件的功能，否则器件可能出现参数退化、性能降低、寿命⼤⼤缩短等现象，甚⾄损坏失效。因此，电路设计者在选择器件时应充分考虑到器件在整个⼯作寿命期的电⽓条件（如电流电压变化、负载变化、信号变化、电路控制调整、元器件设备变化等）和环境条件的变化，使之不超过器件允许的最⼤额定值。另外，由于器件最⼤额定值的各参数之间是互相联系的，在设计或使⽤时必须兼顾考虑。⑶降额使⽤
温度是影响器件寿命的重要因素。器件的结温越⾼，失效⼏率越⼤。因此应把
降额使⽤是防⽌器件过热的有效措施。为提⾼器件⼯作的可靠性，应考虑对器件的规定参数进⾏降额。器件使⽤时需要降额的参数（降额因⼦）有：电压、电流、功率、⼯作结温和环境温度。⼆、三极管典型的降额使⽤范围见表1（仅供参考）。）应采⽤推荐值，不有的器件不允许降额使⽤，如电压基准⼆极管的电流（IZ
可降额。这种情况应当引起使⽤者的注意。
⑷合理选择质量等级
器件的⼯作失效率是和其质量等级有关的。质量等级确定的依据是其所属电⼦设备的可靠性指标。选择器件的质量等级应以此指标为出发点，考虑应⽤部位的关键程度，初步确定质量等级，再借助于电⼦设备可靠性预计检验初步确定质量等级的正确性和合理性。若预计结果说明初步确定的质量等级偏低，则应适当提⾼；反之则应适当降低，以兼顾经济性。不能只考虑到经济性⽽降低质量等级。
另外，在选⽤时对器件的引出端涂覆形式、辐射强度保证等级、内热阻、抗静电能⼒、抗瞬态过载能⼒等⽅⾯也应加以考虑。⼆. 器件的测试
器件测试时，为获得准确的测试数据且不⾄于损坏器件，应按照国家标准的规定或按照由供⽅提供使⽤⽅认可的测试⽅法进⾏测试。测试时应注意以下事项：1. 电测试条件
除另有规定外，器件应在下述环境条件下进⾏电测试：环境温度：25±3℃；相对湿度：45%～75%；环境⼤⽓压：86Kpa～106Kpa。2. 限制、保护措施
除⾮规定的测试⽅法中有要求，器件不应承受会产⽣超过器件最⼤额定值的⼯作条件。要采取措施限制最⼤瞬时电流和所加的电压，通常要求⼤串联电阻值（恒流源）及⼩电容量。避免引线反接、误接、短路，防⽌因仪器设备开启和关断时产⽣的浪涌电流加到器件上。3. ⼩电流测试
测试反向电流或截⽌电流⼩的器件（如nA数量级）时，要注意采取措施保证测试夹具与测试仪器连接电路的寄⽣电流或外部漏电流远远⼩于被测器件的反向电流或截⽌电流。
4. ⼤电流测试
在进⾏较⼤电流测试时，为了避免因引线压降和接触压降所引起的测试误差，应尽可能采⽤具有开尔⽂连接功能的测试仪器和夹具。5. 脉冲测试
当施加的测试条件有可能产⽣较⼤的功率耗散时，为避免因器件发热引起的测试误差或器件损伤，应采取脉冲⽅法进⾏测试以使器件发热减⾄最⼩。除另有规定外，脉冲频率为1000Hz±25Hz，脉冲时间（t）应不⼤于10ms，占空⽐最⼤2%。p
在此范围内，脉冲必须长⾄⾜以适应试验设备的能⼒和所要求的准确度，短⾄⾜以避免发热。三. 器件的装配和焊接
装配和焊接质量的好坏对器件的可靠性影响很⼤，因此必须以科学合理的⽅法，从引线的成型和切断，在印制电路板上的安装、焊接、涂覆、清洗，器件的布置以及散热器的设计安装等各⽅⾯加以考虑。1. 引线的成型和切断
在对器件的引线进⾏成型和切断时，应尽量避免使器件内部遭到机械损伤和不合理的机械应⼒，否则可能使器件的内引线折断，外壳和引线之间的玻璃绝缘⼦出现裂缝甚⾄将外引线折断，从⽽使器件的可靠性降低或⽆法使⽤。因此，应注意以⑴引线折弯时，必须在离器件本体3mm以外⽤钳⼦或其他夹具夹紧，以防⽌将应⼒直接加到器件本体和引线之间，切断引线时亦应如此；
⑵引线弯曲⾓度不能⼤于90ο，⽽且不要使引线反复弯折；⑶对扁形引线不允许横向弯折和切断；
⑷采⽤引线成型和切断⼯具时，不能损伤引线表⾯涂层。2. 在印制电路板上安装
器件在印制电路板上安装时，要注意以下⼏个⽅⾯：
⑴印制电路板上安装孔的间隔要与引线成型的间隔⼀致，插⼊时不要将器件硬插⼊引线孔以免在器件引线上产⽣附加应⼒；也不可硬拉引线，以免造成引线和外壳间的过⼤应⼒。轴向拉⼒（沿引线轴⽅向的引线拉⼒）与引线直径（异形引线按截⾯积计算等效直径）有关，安装时不应超过表2的规定值。
⑵若须在印制电路板上粘接固定器件本体时，粘接应严格在器件的引线空间进⾏以避免使引线受⼒。表2 引线直径和轴向拉⼒对照
⑶在印制电路板和器件之间如果必须采⽤垫层，应事先留下空隙。
⑷有散热器的器件在印制电路板上固定焊接时，为避免在器件上施加不必要的机械应⼒，须将器件事先固定在散热器上，并将散热器固定在印制电路板上后才可进⾏。3. 焊接
器件在焊接时温度要尽可能低，时间应尽可能短，不允许在⾼温条件下滞留较长时间，以免使器件过热损坏。
⑴器件焊接时允许的热条件是温度不超过260℃，时间不超过10S。焊接时应在距离器件本体⾄少2mm以上处进⾏。焊接温度过⾼、时间过长，器件的结温会随之升⾼，可能导致器件性能退化或热破坏。⑵焊接时，应避免使⽤酸性或碱性强的助焊剂以避免腐蚀引线或造成整机⽓去多余的助焊剂。
⑶为了提⾼器件的焊接性能，在焊接前可对引线预先浸锡。此时应注意浸锡⽅式和操作⽅法，避免带来不必要的热应⼒⽽导致器件失效。
a. 引线浸锡时，必须距离器件本体2mm以上，不能直接浸到引线根部。
b. ⽤电烙铁浸锡时，应⽤镊⼦夹在器件本体和烙铁之间，以减少热量直接传向器件内部从⽽造成器件损坏。c. 绝对不能将器件丢进锡锅内浸锡，否则器件将会失效。d. 浸锡温度不能超过260℃，时间不能超过10S。4. 器件的位置
在整机装配时，器件位置排列的合适与否对器件的可靠性影响很⼤，下⾯⼏种情况应引起注意：⑴应使器件尽量远离⼤的电阻、变压器等发热源，避免热量传到器件或散热器上使其温度升⾼。
⑵器件应放置在不易积聚灰尘的地⽅以防⽌绝缘性能下降，可以在器件或印制电路板上涂敷⼀层防⽔树脂加以保护。⑶注意避免在⾼压、⾼频设备中产⽣的感应电压使器件击穿。5. 散热器的设计安装
器件特别是功率器件在使⽤时，为合理控制外热阻和外部热环境，发挥器件的最佳性能，要进⾏可靠的热设计。除对器件降额使⽤外，功率器件应安装散热器。散热器的设计安装要注意以下⼏个⽅⾯：
⑴散热器表⾯积应满⾜设计要求；散热器上有多个肋⽚时应选择肋⽚间距⼤的散热器；散热器要进⾏表⾯处理使其表⾯粗糙度适当并呈⿊⾊以增强辐射散热。
⑵散热器的表⾯不允许有裂纹、起泡、起⽪，局部机械损伤最⼤深度不超过0.5mm，表⾯凹凸弯度与螺栓孔之间的间隔应⼩于0.05cm。⑶应采取以下措施使器件外壳与散热器间的热阻尽可能少：a. 器件与散热器接触时⾯积要尽可能⼤；
b. 接触⾯要保持平直光洁（平整度⼀般要求⼩于25µm），接触⾯和器件之间不能有切削多余物或碎屑；c. 器件外壳与散热器间要求绝缘时应采⽤导热系数⾼的绝缘⽚，必要时应在⑷对热敏感的器件，安装时应远离耗散功率⼤的元器件。
⑸在有⽓流的⼯作条件下，器件应安装在其他功率元器件⾃然或强迫对流的相反⽅向，有肋⽚的散热器应使其肋⽚沿散热器长度⽅向垂直安装便于⾃然对流。
⑹⼯作在真空条件下器件，散热器设计时应以只有辐射和传导散热为基础。
⑺器件在散热器表⾯安装时要使⽤合适的紧固⼒矩，以保证器件与散热器表⾯之间接触良好，使器件不⾄于受损并且热阻⾜够⼩。注意紧固时不能对外壳施加机械应⼒。
⑻器件在散热器表⾯安装好以后不允许对外壳和器件的散热⽚进⾏机械加⼯和整形，否则将产⽣应⼒或增⼤热阻。四. 器件的贮存、包装和运输1. 贮存
器件应贮存在⼲燥、通风、⽆腐蚀性⽓体影响，温度范围-10℃～40℃，相对湿度⼩于80%的库房内，若须堆码应严格按照包装箱上堆码标志的要求进⾏。在库房内贮存36个⽉以上的器件使⽤前，应对可焊性及主要电参数进⾏测试和检验，以确保器件质量可靠。2. 包装
除⾮有符合产品要求的包装，使⽤⽅应使⽤供⽅提供的包装进⾏贮存和运输。3. 运输
产品运输时应有牢固的包装箱，箱外应有符合规定的“⼩⼼轻放”、“防潮”等标志。装有产品的包装箱应允许⽤任何运输⼯具运输。运输过程中应避免⾬雪的直接淋袭和机械撞击。
第⼀部分：⼆极管⼀. 开关⼆极管
5. 肖特基开关检波⼆极管2DKOlO、020、O3O型（替代2AK1～20、2AP1～31B）
6. 硅开关⼆极管2CK70～86、2CK49～56系列
B R B R F档V B=105V，V R=70V，其余参数不变。
注： 2CK76～81系列产品E档V B=90V，V R=60V；F档V B=105V，V R=70V，其余参数不变。
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