专利名称：半导体器件及其金属栅极的形成方法专利类型：发明专利发明人：林静,蔡国辉
申请号：CN201711376358.4申请日：20171219公开号：CN109935518A公开日：20190625
摘要：一种半导体器件及其金属栅极的形成方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有凹槽，且在所述凹槽内形成有高K介质层以及位于所述高K介质层表面的功函数层；在所述功函数层的表面形成无定形硅；对所述无定形硅进行氧化处理，以在所述无定形硅的表面生成氧化层；在所述氧化层的保护下，对所述功函数层进行退火处理；在所述凹槽内填充金属，以形成所述金属栅极。本发明方案可以在高温退火的过程中，提高无定形硅对功函数层的保护作用。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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