专利名称：半导体刻蚀设备的上部电极专利类型：实用新型专利发明人：刘东升
申请号：CN200820060507.6申请日：20080415公开号：CN201215800Y公开日：20090401
摘要：本实用新型公开了一种半导体刻蚀设备的上部电极，内部具有多个通气孔，通气孔均匀分布在以上部电极中心为圆心的多个圆周上，在上部电极的一个直径上，通气孔随着与上部电极中心距离的增大，其孔径增大和或与相邻通气孔间距减小。本实用新型通过改变通气孔的结构和位置，使工艺气体进入工艺腔更加均匀，形成等密度均匀的等离子体，达到改善刻蚀均一性，使上部电极消耗量均匀，延长使用寿命的目的。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：200000 上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：刘昌荣
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