一种去除深孔蚀刻后沟槽内残留物的方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410452702.3 （22）申请日 2014.09.05

（71）申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司

地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

（10）申请公布号 CN104821273A

（43）申请公布日 2015.08.05

（72）发明人 董金文;陈俊

（74）专利代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司

代理人 杨立

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种去除深孔蚀刻后沟槽内残留物的方法

（57）摘要

本发明涉及一种去除深孔蚀刻后沟槽内残

留物的方法。包括以下步骤：提供晶圆键合结构；晶圆键合结构包括键合在一起的第一片晶圆和第二片晶圆，第一片晶圆顶部蚀刻形成沟槽，沟槽内蚀刻形成有深孔；沟槽顶部和沟槽内有残留有光阻；采用反应气体去除沟槽顶部的光阻，至沟槽顶部的光阻消耗完露出二氧化硅缓冲层；通入低浓度含氟气体，至沟槽内的光阻被去除干净；通入不含氟气体的气体去除所述沟槽内的残

留光阻。本发明采用低浓度的含氟气体来阻止产生硅和氧的聚合物，不仅可以将沟槽内的残留物去除干净，而且不会大量蚀刻沟槽顶部的薄膜，为后续制程提供良好的基础，大幅提高了影像传感器的可靠性。

法律状态

法律状态公告日

2015-08-05 2015-08-05 2015-09-02 2015-09-02 2017-11-28

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

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实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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